Что нужно для производства чипов
Перейти к содержимому

Что нужно для производства чипов

  • автор:

Современные технологии полупроводникового производства

В последние годы к стадии возможности использования в коммерческом производстве подошел целый ряд технологий, позволяющих заметно увеличить скорость работы транзисторов, либо столько же заметно уменьшить размер чипа без перехода на более тонкий технологический процесс. Некоторые из этих технологий уже начали применяться в течение последних месяцев, их названия упоминаются в новостях, относящихся к компьютерам, все чаще. Эта статья – попытка сделать краткий обзор подобных технологий, попытавшись заглянуть в самое ближайшее возможное будущее чипов, находящихся в наших компьютерах.

Первая интегральная схема, где соединения между транзисторами сделаны прямо на подложке, была сделана более 40 лет назад. За это время технология их производства претерпела ряд больших и малых улучшений, пройдя от первой схемы Джека Килби до сегодняшних центральных процессоров, состоящих из десятков миллионов транзисторов, хотя для серверных процессоров впору уже говорить о сотнях миллионов.

Здесь пойдет речь о некоторых последних технологиях в этой области, таких, как медные проводники в чипах, SiGe, SOI, перовскиты. Но сначала необходимо в общих чертах затронуть традиционный процесс производства чипов из кремниевых пластин. Нет необходимости описывать процесс превращения песка в пластины, поскольку все эти технологии не имеют к столь базовым шагам никакого отношения, поэтому начнем с того, что мы уже имеем кремниевую пластину, диаметр которой на большинстве сегодняшних фабрик, использующих современные технологии, составляет 20 см. Ближайшим шагом на ее превращении в чипы становится процесс окисления ее поверхности, покрытия ее пленкой окислов — SiO2, являющейся прекрасным изолятором и защитой поверхности пластины при литографии.

Дальше на пластину наносится еще один защитный слой, на этот раз — светочувствительный, и происходит одна из ключевых операций — удаление в определенных местах ненужных участков его и пленки окислов с поверхности пластины, до обнажения чистого кремния, с помощью фотолитографии.

На первом этапе пластину с нанесённой на её поверхность плёнкой светочувствительного слоя помещают в установку экспонирования, которая по сути работает как фотоувеличитель. В качестве негатива здесь используется прецизионная маска — квадратная пластина кварцевого стекла покрытая плёнкой хрома там, где требуется. Хромированные и открытые участки образуют изображение одного слоя одного чипа в масштабе 1:5. По специальным знакам, заранее сформированным на поверхности пластины, установка автоматически выравнивает пластину, настраивает фокус и засвечивает светочувствительный слой через маску и систему линз с уменьшением так, что на пластине получается изображение кристалла в масштабе 1:1. Затем пластина сдвигается, экспонируется следующий кристалл и так далее, пока не обработаются все чипы на пластине. Сама маска тоже формируется фотохимическим способом, только засвечивание светочувствительного слоя при формировании маски происходит по программе электронным лучом примерно также, как в телевизионном кинескопе.

В результате засвечивания химический состав тех участков светочувствительного слоя, которые попали под прозрачные области фотомаски, меняется. Что дает возможность удалить их с помощью соответствующих химикатов или других методов, вроде плазмы или рентгеновских лучей.

После чего аналогичной процедуре (уже с использованием других веществ, разумеется) подвергается и слой окислов на поверхности пластины. И снова, опять же, уже новыми химикатами, снимается светочувствительный слой:

Потом накладывается следующая маска, уже с другим шаблоном, потом еще одна, еще, и еще… Именно этот этап производства чипа является критическим в плане ошибок: любая пылинка или микроскопический сдвиг в сторону при наложении очередной маски, и чип уже может отправиться на свалку. После того, как сформирована структура чипа, пришло время для изменения атомной структуры кремния в необходимых участках путем добавления различных примесей. Это требуется для того, чтобы получить области кремния с различными электрическими свойствами — p-типа и n-типа, то есть, как раз то, что требуется для создания транзистора. Для формирования p-областей используются бор, галлий, алюминий, для создания n-областей — сурьма, мышьяк, фосфор.

Поверхность пластины тщательно очищается, чтобы вместе с примесями в кремний не попали лишние вещества, после чего она попадает в камеру для высокотемпературной обработки и на нее, в том или ином агрегатном состоянии, с использованием ионизации или без, наносится небольшое количество требуемых примесей. После чего, при температуре порядка от 700 до 1400 градусов, происходит процесс диффузии, проникновения требуемых элементов в кремний на его открытых в процессе литографии участках. В результате на поверхности пластины получаются участки с нужными свойствами. И в конце этого этапа на их поверхность наносится все та же защитная пленка из окисла кремния, толщиной порядка одного микрона.

Все. Осталось только проложить по поверхности чипа металлические соединения (сегодня для этой роли обычно используется алюминий, а соединения сегодня обычно расположены в 6 слоев), и дело сделано. В общих чертах, так в результате и получается, к примеру, классический МОП транзистор: при наличии напряжения на затворе начинается перемещение электронов между измененными областями кремния.

Теперь, слегка пробежавшись по классическому процессу создания сегодняшних чипов, можно более уверенно перейти к обзору технологий, которые предполагают внести определенные коррективы в эту картину.

Медные соединения

IBM, техпроцесс CMOS 7S, первая медная технология, начавшая применяться при коммерческом производстве чипов

Первая из них, уже начавшая широко внедряться в коммерческое производство — это замена на последнем этапе алюминия на медь. Медь является лучшим проводником, чем алюминий (удельное сопротивление 0,0175 против 0,028 ом*мм2/м), что, в полном соответствии с законами физики, позволяет уменьшить сечение межкомпонентных соединений. Вполне своевременно, учитывая постоянное движение индустрии в сторону уменьшения размеров транзисторов и увеличения плотности их размещения на чипе, когда использование алюминия начинает становиться невозможным. Индустрия начала сталкиваться с этой проблемой уже в первой половине 90-х. Вдобавок, что толку в ускорении самих транзисторов, если соединения между ними будут съедать весь прирост скорости?

Проблемой при переходе на медь являлось то, что алюминий куда лучше образует контакт с кремнием. Однако после не одного десятка лет исследований, ученым удалось найти принцип создания сверхтонкой разделительной области между кремниевой подложкой и медными проводниками, предотвращающей диффузию этих двух материалов.

По данным IBM, применение в технологическом процессе меди вместо алюминия, позволяет добиться снижения себестоимости примерно на 20-30 процентов за счет снижения площади чипа. Их технология CMOS 7S, использующая медные соединения, позволяет создавать чипы, содержащие до 150-200 миллионов транзисторов. И, наконец, просто увеличение производительности чипа (до 40 процентов) за счет меньшего сопротивления проводников.

IBM начала предлагать клиентам эту технологию в начале 98 года, в конце этого года своим заказчикам предложили использовать медь при производстве их чипов TSMC и UMC, AMD начинает выпуск медных Athlon в начале 2000 года, Intel переходит на медь в 2002 году, одновременно с переходом на 0.13 мкм техпроцесс.

SiGe

Соединения — соединениями, но уже на скорости чипа в несколько ГГц перестает справляться с нагрузкой сама кремниевая подложка. И если для традиционных областей применения чипов кремния пока достаточно, в области беспроводной связи уже давно дефицит на дешевые скоростные чипы. Кремний — дешево, но медленно, арсенид галлия — быстро, но дорого. Решением здесь стало использование в качестве материала для подложек соединения двух основ полупроводниковой индустрии — кремния с германием, SiGe. Практические результаты по этой технологии стали появляться с конца 80-х годов. Первый биполярный транзистор, созданный с использованием SiGe (когда германий используется как материал для базы), был продемонстрирован в 1987 году. В 1992 году уже появилась возможность применения при производстве чипов с SiGe транзисторами стандартной технологии КМОП с разрешением 0.25 мкм.

Результатом применения становится увеличение скорости чипов в 2-4 раза по сравнению с той, что может быть достигнута путем использования кремния, во столько же снижается и их энергопотребление. При этом, в ход вступает все тот же решающий фактор — стоимость: SiGe чипы можно производить на тех же линиях, которые используются при производстве чипов на базе обычных кремниевых пластин, таким образом отпадает необходимость в дорогом переоснащении производственного оборудования. По информации IBM, потенциальная скорость транзистора (не чипа!) с их технологией составляет сегодня 45-50 ГГц (что далеко не рекорд), ведутся работы над увеличением этой цифры до 120 ГГц. Впрочем, в ближайшие годы прихода SiGe в компьютер ждать не стоит — при тех скоростях, что потребуется PC чипам в ближайшем будущем вполне хватает кремния, легированного такими технологиями, как медные соединения или SOI.

Кремний на изоляторе (silicon-on-insulator, SOI)

Еще одна технология, позволяющая достаточно безболезненно повысить скорость чипов, не требуя от производителей отказаться от всех их сегодняшних наработок. Как и технология медных соединений, SOI позволяет создателям чипов убить двух зайцев одним выстрелом — поднять скорость, до 25 процентов, одновременно снизив энергопотребление. Что из себя представляет эта технология? Вспомним начало обработки кремниевой пластины — она покрывается тонкой пленкой окисла кремния. А в SOI к этому бутерброду добавляется еще один элемент — сверху опять наносится тонкий слой кремния:

Вот и получается — кремний на изоляторе. Зачем это понадобилось? Чтобы уменьшить емкость. В идеале МОП транзистор должен выключаться, как только будет исчезнет питание с затвора (или наоборот, появится, в случае с КМОП). Но наш мир далеко не идеален, это справедливо и в данном конкретном случае. На время срабатывания транзистора напрямую влияет емкость области между между измененными участками кремния, через которую и идет ток при включении транзистора. Он начинает и заканчивает идти не мгновенно, а только после, соответственно, зарядки и разрядки этой промежуточной зоны. Понятно, что чем меньше это время, тем быстрее работает транзистор, можно сказать, что тем меньше его инерция. Для того и придумана SOI — при наличии между измененными участками и основной массой кремния тонкой пластинки изолирующего вещества (окисел кремния, стекло, и т.д.), этот вопрос снимается и транзистор начинает работать заметно быстрее.

Основная сложность в данном случае, как и в случае с медными соединениями, заключается в разных физических свойствах вещества. Кремний, используемый в подложке — кристалл, пленка окислов — нет, и закрепить на ее поверхности, или же не поверхности другого изолятора еще один слой кристаллического кремния весьма трудно. Вот как раз проблема создания идеального слоя и заняла весьма много времени. Не так давно IBM уже продемонстрировала процессоры PowerPC и чипы SRAM, созданные с использованием этой технологии, просигнализировав этим о том, что SOI подошла к стадии возможности коммерческого применения. Совсем недавно, IBM объявила о том, что она достигла возможности сочетать SOI и медные соединения на одном чипе, пользуясь плюсами обеих технологий. Тем не менее, пока что никто кроме нее не заявил публично о намерении использовать эту технологию при производстве чипов, хотя о чем-то подобном речь идет.

Перовскиты

Поиски замены на роль изолирующей пленки на поверхности подложки идут давно, учитывая, что как и алюминий, диоксид кремния начинает сдавать в последнее время — при постоянном увеличении плотности транзисторов на чипе необходимо уменьшать толщину его изолирующего слоя, а этому есть предел, поставленный его электрическими свойствами, который уже довольно близок. Однако пока, несмотря на все попытки, SiO2 по прежнему находится на своем месте. В свое время IBM, предполагала использовать в этой роли полиамид, теперь пришла очередь Motorola выступить со своим вариантом — перовскиты.

Этот класс минералов в природе встречается довольно редко — Танзания, Бразилия и Канада, но может выращиваться искусственно. Кристаллы перовскитов отличаются очень высокими диэлектрическими свойствами: использованный Motorola титанат стронция превосходит по этому параметру диоксид кремния более чем на порядок. А это позволяет в три-четыре раза снизить толщину транзисторов по сравнению с использованием традиционного подхода. Что, в свою очередь, позволяет значительно снизить ток утечки, давая возможность заметно увеличить плотность транзисторов на чипе, одновременно сильно уменьшая его энергопотребление.

Пока что эта технология находится в достаточно ранней стадии разработки, однако Motorola уже продемонстрировала возможность нанесения пленки перовскитов на поверхность стандартной 20 см кремниевой пластины, а также рабочий КМОП транзистор, созданный на базе этой технологии.

Как делают чипы?

Производство крошечных чипов, дающих жизнь ноутбуку, — одно из самых сложных и изощренных. Оно состоит более чем из трех сотен операций, и один производственный цикл может длиться до нескольких недель. Как выглядит этот процесс в упрощенном виде?

Наносим слой кремния

Первое, что необходимо сделать, — создать на поверхности кремниевой подложки диаметром в 30 см дополнительный слой. Атомы кремния наращивают на подложку методом эпитаксии: они постепенно оседают на кремниевую поверхность из газовой фазы. Процесс протекает в вакууме, ничего лишнего здесь нет, поэтому в результате на поверхности образуется тончайший слой чистейшего кремния с той же кристаллической структурой, что и кремниевая подложка, только еще чище. Иными словами, мы получаем несколько улучшенную подложку.

Наносим защитный слой

Теперь на поверхности подложки надо создать защитный слой, то есть попросту окислить ее, чтобы образовалась тончайшая пленка оксида кремния SiO2.

Ее функция очень важна: оксидная пленка в дальнейшем будет мешать электрическому току утекать с пластины. Кстати, в последнее время вместо традиционного диоксида кремния компания Intel стала использовать high-k-диэлектрик на основе оксидов и силикатов гафния, у которых более высокая по сравнению с оксидом кремния диэлектрическая проницаемость k. Слой high-k диэлектрика делают примерно в два раза толще, чем слой обычного SiO2, за счет сужения соседних областей, но благодаря этому при сравнимой емкости ток утечки удается уменьшить в сто раз. Это позволяет продолжать миниатюризацию процессоров.

Наносим слой фоторезиста

На защитный слой оксида кремния необходимо нанести фоторезист — полимерный материал, свойства которого изменяются под воздействием излучения. Чаще всего в этой роли выступают полиметакрилаты, арилсульфоэфиры и фенлформальдегидные смолы, которые разрушаются под воздействием ультрафиолета (этот процесс называется фото- литографией). Их наносят на вращающуюся подложку, опрыскивая ее аэрозолем упомянутого вещества. В принципе можно также использовать электронный луч (электронно-лучевую литографию) или мягкое рентгеновское излучение (рентгеновскую литографию), подбирая к ним соответствующие чувствительные вещества. Но мы рассмотрим традиционный процесс фотолитографии.

s20140424 chip1.jpg

Облучаем ультрафиолетом

Теперь подложка готова к контакту с ультрафиолетом, но не прямому, а через посредника — фотомаску, которая играет роль трафарета. По сути, фотомаска — это рисунок будущей микросхемы, только увеличенный в несколько раз. Чтобы спроецировать его на поверхность подложки, используют специальные линзы, уменьшающие изображение. Это дает поразительную четкость и точность проекции.

s20140424 chip2.jpg

Ультрафиолет, проходя через маску и линзы, проецирует изображение будущей схемы на подложку. На фотомаске будущие рабочие участки интегральной микросхемы прозрачны для ультрафиолета, а пассивные участки — наоборот. В тех местах на подложке, где должны быть расположены активные структурные элементы, облучение разрушает фоторезист. А на пассивных участках разрушение не происходит, потому что туда ультрафиолет не попадает: трафарет он и есть трафарет. Химическая реакция, которая происходит в слое под воздействием ультрафиолета, очень похожа на реакцию в пленке, происходящую во время фотографирования. Разрушенный фоторезист легко растворяется, поэтому убрать с подложки продукты разложения несложно. Кстати, для создания одного процессора бывает необходимо до 30 различных фотомасок, поэтому этап повторяют по мере нанесения слоев друг на друга.

Итак, рисунок будущей схемы со всеми элементами размером вплоть до нескольких нанометров перенесен на поверхность подложки. Области, где защитный слой разрушился, теперь должны быть вытравлены. При этом пассивные участки не пострадают, поскольку они защищены полимерным слоем фоторезиста, который не разрушился на предыдущей стадии. Облученные области вытравливают либо химическими реагентами, либо физическими методами.

В первом случае, чтобы разрушить слой диоксида кремния, используют составы на основе фтористоводородной кислоты и фторида аммония. Жидкостное травление — дело хорошее, но есть проблема: жидкость так и норовит затечь под слой резиста на соседних пассивных участках. А в результате детали вытравленного рисунка по размеру оказываются больше, чем предусмотрено маской. Поэтому предпочтительнее сухой физический метод — реактивное ионное травление с помощью плазмы. Для каждого материала, подвергаемого сухому травлению, подбирают соответствующий реактивный газ. Так, кремний и его соединения травят хлор- и фторсодержащей плазмой (CCl4 + Cl2 + Ar, ClF3 + Cl2, CHF3, CF4 + H2, C2F6). Правда, у сухого травления тоже имеется недостаток — меньшая по сравнению с жидкостным травлением селективность. К счастью, на этот случай есть универсальный метод — ионно-лучевое травление. Оно пригодно для любого материала или сочетания материалов и обладает наивысшей среди всех методов травления разрешающей способностью, позволяя получать элементы с размером менее 10 нм.

Теперь настало время ионной имплантации. Она позволяет внедрить практически любые химические элементы в необходимом количестве на заданную глубину на протравленных участках, где обнажилась кремниевая подложка. Цель этой операции — изменить тип проводимости и концентрацию носителей в объеме полупроводника для получения нужных свойств, например — требуемой плавности p-n-перехода. Самые распространенные легирующие примеси для кремния — это фосфор, мышьяк (обеспечивают электронную проводимость n-типа) и бор (дырочную проводимость p-типа). Ионы имплантируемых элементов в виде плазмы разгоняют до высоких скоростей электромагнитным полем и бомбардируют ими подложку. Энергичные ионы проникают в незащищенные участки, погружаясь в образец на глубину от нескольких нанометров до нескольких микрометров.

s20140424 chip3.jpg

После внедрения ионов фоторезистивный слой удаляют, а полученную конструкцию отжигают при высокой температуре, чтобы восстановилась нарушенная структура полупроводника и ионы лиганда заняли узлы кристаллической решетки. В целом первый слой транзисторов готов.

Делаем окна

Поверх полученного транзистора необходимо нанести изолирующий слой, на котором тем же методом фотолитографии вытравливают три «окна». Через них в дальнейшем будут создаваться контакты с другими транзисторами.

Наносим металл

Теперь всю поверхность пластины покрывают слоем меди с помощью вакуумного напыления. Медные ионы проходят от положительного электрода (анода) к отрицательному электроду (катоду), роль которого играет подложка, и садятся на него, заполняя окна, созданные с помощью травления. Затем поверхность полируют, удаляя лишнюю медь. Металл наносят в несколько этапов, чтобы создать межсоединения (их можно представить как соединительные провода) между отдельными транзисторами.

s20140424 chip4.jpg

Раскладка таких межсоединений определяется архитектурой микропроцессора. Таким образом в современных процессорах устанавливаются связи между примерно 20 слоями, формирующими сложную трехмерную схему. Количество слоев может меняться в зависимости от типа процессора.

Наконец наша пластинка готова к тестированию. Главный контролер здесь — зондовые головки на установках автоматической разбраковки пластин. Прикасаясь к пластинкам, они измеряют электрические параметры. Если что не так — помечают бракованные кристаллы, которые затем отбрасывают. Кстати, кристаллом в микроэлектронике называют единичную интегральную микросхему произвольной сложности, размещенную на полупроводниковой пластине.

Далее пластины разделяют на единичные кристаллы. На одной подложке диаметром 30 см помещается около 150 микросхем размером примерно 2х2 см. Для разделения пластину либо надрезают алмазным резцом или лазерным лучом, а потом разламывают по готовым надрезам, либо сразу разрезают алмазным диском.

Процессор готов!

После этого соединяют контактную площадку, обеспечивающую связь процессора с остальной системой, кристалл и крышку, отводящую тепло от кристалла к кулеру.

s20140424 chip5.jpg

Процессор готов! По моим (наверняка очень неточным) прикидкам, на изготовление одного современного процессора, такого, например, как четырехъядерный Intel Core i7, необходимо затратить около месяца работы сверхсовременной фабрики и 150 кВт•ч электроэнергии. При этом масса кремния и химикатов, расходуемых на один кристалл, исчисляется максимум граммами, меди — долями грамма, золота для контактов — миллиграммами, а лигандов вроде фосфора, мышьяка, бора — и того меньше.

Для тех, кто рискует запутаться в подложках, чипах, процессорах и кристаллах, приводим маленький словарик терминов.

Подложка — круглая монокристаллическая кремниевая пластина диаметром от 10 до 45 см, на которой выращивают полупроводниковые микросхемы методом эпитаксии.

Кристалл, чип, интегральная микросхема — не связанная с другими часть подложки с выращенной на ней многослойной системой транзисторов, соединенных медными контактами. В дальнейшем используется как основная часть микропроцессора.

Лиганд (легирующая примесь) — в случае полупроводниковых материалов вещество, атомы которого встраиваются в решетку кристалла кремния, изменяя его проводимость.

Процессор, микропроцессор — центральный вычислительный элемент современных компьютеров. Состоит из кристалла, помещенного на контактную площадку и закрытого теплоотводящей крышкой.

Фотомаска — полупрозрачная пластина с рисунком, сквозь который проходит свет при облучении фоторезиста.

Фоторезист — полимерный светочувствительный материал, свойства которого, например растворимость, изменяются после воздействия на него определенного типа излучения.

Эпитаксия — закономерный ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого. В данном случае слово «кристалл» употребляется в своем основном значении. Существует множество методов получения упорядоченных кристаллов, основанных на эпитаксиальном наращивании.

Как разрабатываются и производятся процессоры: изготовление чипа

image

Это третья статья из серии о проектировании ЦП. В первой статье мы рассмотрели архитектуру компьютера и объяснили его работу на высоком уровне. Во второй статье говорилось о проектировании и реализации некоторых компонентов чипа. В третьей части мы узнаем, как архитектурные проекты и электрические схемы становятся физическими чипами.

Как превратить кучу песка в современный процессор? Давайте разберёмся.

Часть 1: Основы архитектуры компьютеров (архитектуры наборов команд, кэширование, конвейеры, hyperthreading)
Часть 2: Процесс проектирования ЦП (электрические схемы, транзисторы, логические элементы, синхронизация)
Часть 3: Компонование и физическое производство чипа (VLSI и изготовление кремния)
Часть 4: Современные тенденции и важные будущие направления в архитектуре компьютеров (море ускорителей, трёхмерное интегрирование, FPGA, Near Memory Computing)

Как говорилось ранее, процессоры и вся другая цифровая логика составлены из транзисторов. Транзистор — это переключатель с электрическим управлением, который может включаться и отключаться подачей или отключением напряжения на затворе. Мы сказали, что существует два вида транзисторов: nMOS-устройства пропускают ток, когда затвор включён, а pMOS-устройства пропускают ток при выключенном затворе. Базовая структура процессора — это транзисторы, созданные из кремния. Кремний — это полупроводник, потому что он занимает промежуточное положение — не проводит ток полностью, но и не является изолятором.

Чтобы превратить кремниевую пластину в практическую электрическую схему добавлением транзисторов, производственные инженеры используют процесс под названием «легирование«. Легирование — это процесс добавления в базовый субстрат кремния тщательно выбранных примесей для изменения его проводимости. Цель заключается в том, чтобы изменить поведение электронов так, чтобы мы могли ими управлять. Существует два вида транзисторов, а значит, и два основных вида легирования.

Процесс изготовления пластины до размещения чипов в корпусе.

Если мы добавим точно контролируемое количество элементов-доноров электронов, например, мышьяка, сурьмы или фосфора, то можем создать область n-типа. Поскольку область пластины, на которую нанесены эти элементы, теперь имеет избыток электронов, она становится отрицательно заряженной. Отсюда взялось название типа (n — negative) и буква «n» в nMOS. Добавляя на кремний такие элементы-акцепторы электронов, как бор, индий или галлий, мы можем создавать область p-типа, заряженную положительно. Отсюда взялась буква «p» в p-типе и pMOS (p — positive). Конкретные процессы добавления этих примесей к кремнию называются ионной имплантацией и диффузией; их мы в статье рассматривать не будем.

Теперь, когда мы можем управлять электропроводимостью отдельных частей кремниевой пластины, можно скомбинировать свойства нескольких областей для создания транзисторов. Транзисторы, используемые в интегральных схемах и называющиеся MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors, МОП-структуры, структуры «металл-оксид-проводник»), имеют четыре соединения. Контролируемый нами ток течёт между истоком (Source) и стоком (Drain). В n-канальном устройстве ток обычно входит в сток и выходит из истока, а в p-канальном устройстве он обычно течёт из истока и выходит из стока. Затвор (Gate) — это переключатель, используемый для включения и отключения транзистора. Наконец, у устройства есть тело транзистора (Body), которое не относится к процессору, поэтому мы не будем его рассматривать.

Физическая структура инвертора в кремнии. Области разных цветов имеют разные свойства проводимости. Заметьте, как разные кремниевые компоненты соответствуют схеме справа

Технические подробности работы транзисторов и взаимодействия отдельных областей — это содержание целого курса колледжа, поэтому мы коснёмся только основ. Хорошая аналогия их работы — это разводной мост над рекой. Автомобили — электроны в транзисторе — хотят перетечь с одной стороны реки на другую, это исток и сток транзистора. Возьмём для примера nMOS-устройство: когда затвор не заряжен, разводной мост поднят и электроны не могут течь по каналу. Когда мы опускаем мост, то образуем дорогу над рекой и автомобили могут свободно перемещаться. То же самое происходит в транзисторе. Зарядка затвора образует канал между истоком и стоком, позволяющий току течь.

Для точного контроля над расположением на кремнии разных областей p и n производители, например Intel и TSMC используют процесс под названием фотолитография. Это чрезвычайно сложный многоэтапный процесс и компании тратят миллиарды долларов на его усовершенствование для того, чтобы создавать более мелкие, быстрые и энергоэффективные транзисторы. Представьте сверхточный принтер, который можно использовать для рисования на кремнии паттернов для каждой области.

Процесс изготовления транзисторов на чипе начинается с чистой кремниевой пластины (подложки). Она нагревается в печи для создания на поверхности пластины тонкого слоя диоксида кремния. Затем на диоксид кремния наносится светочувствительный фоторезистивный полимер. Освещая полимер светом определённых частот, мы можем обнажать полимер в тех областях, где хотим выполнять легирование. Это этап литографии, и он схож с тем, как принтеры наносят чернила на определённые области страницы, только в меньшем масштабе.

Пластина протравливается плавиковой кислотой для растворения диоксида кремния в местах, где был удалён полимер. Затем фоторезист убирается, оставляя только находящийся под ним оксидный слой. Теперь на пластину можно нанести легирующие ионы, которые имплантируются только в местах, где отсутствует оксид.

Этот процесс маскирования, формирования и легирования повторяется десятки раз для медленного построения каждого уровня элементов в полупроводнике. После завершения базового уровня кремния поверх можно создать металлические соединения, соединяющие разные транзисторы. Чуть позже мы подробнее поговорим об этих соединениях и слоях металлизации.

Разумеется, производители чипов не выполняют процесс создания транзисторов под одному. При проектировании нового чипа они генерируют маски для каждого этапа процесса изготовления. Эти маски содержат местоположения каждого элемента миллиардов транзисторов чипа. Несколько чипов группируются вместе и изготавливаются совместно на одном кристалле.

После изготовления пластины она разрезается на отдельные кристаллы, которые помещаются
в корпуса. Каждая пластина может содержать сотни или даже больше чипов. Обычно чем более мощный производится чип, тем больше будет кристалл, и тем меньше чипов производитель может получить с каждой пластины.

Можно подумать, что нам просто стоит производить огромные супермощные чипы с сотнями ядер, но это невозможно. В настоящее время самым серьёзным фактором, мешающим создавать всё более крупные чипы, являются дефекты в процессе производства. Современные чипы содержат миллиарды транзисторов и если хотя бы одна часть одного транзистора сломана, то может быть выброшен весь чип. При увеличении размера процессоров вероятность неисправности чипа повышается.

Продуктивность процессов изготовления своих чипов компании тщательно скрывают, но её можно примерно оценить в 70-90%. Компании обычно изготавливают чипы с запасом, потому что знают, что некоторые части не будут работать. Например, Intel может спроектировать 8-ядерный чип, но продавать его только как 6-ядерный, потому что рассчитывает, что одно или два ядра могут быть сломаны. Чипы с необычно низким количеством дефектов обычно откладываются для продажи по более высокой цене. Этот процесс называется binning.

Один из самых серьёзных маркетинговых параметров, связанных с изготовлением чипов — это размер элементов. Например, Intel осваивает 10-нанометровый процесс, AMD использует для некоторых GPU 7-нанометровый, а TSMC начала работу над 5-нанометровым процессом. Но что означают все эти числа? Традиционно размером элемента называется минимальное расстояние между стоком и истоком транзистора. В процессе развития технологий мы научились уменьшать транзисторы, чтобы на одном чипе их помещалось всё больше. При уменьшении транзисторов они также становятся всё быстрее и быстрее.

Глядя на эти числа, важно помнить, что некоторые компании могут основывать размер техпроцесса не на стандартном расстоянии, а на других величинах. Это значит, что процессы с разным размером у различных компаний могут на самом деле приводить к созданию транзисторов одинакового размера. С другой стороны, не все транзисторы в отдельном техпроцессе имеют одинаковый размер. Проектировщики могут решить ради компромиссов сделать некоторые транзисторы крупнее других. Мелкий транзистор будет быстрее, потому на зарядку и разрядку его затвора требуется меньше времени. Однако мелкие транзисторы могут управлять только очень малым количеством выходов. Если какой-то кусок логики будет управлять чем-то, требующим много мощности, например, контактом вывода, то его придётся сделать намного больше. Такие транзисторы вывода могут быть на порядки величин больше, чем транзисторы внутренней логики.

Снимок кристалла современного процессора AMD Zen. Эта конструкция состоит из нескольких миллиардов транзисторов.

Однако проектирование и изготовление транзисторов — это только половина чипа. Нам необходимы проводники, чтобы соединить всё согласно схеме. Эти соединения создаются при помощи слоёв металлизации поверх транзисторов. Представьте многоуровневую дорожную развязку с въездами, выездами и кучей пересекающихся дорог. Именно это и происходит внутри чипа, только в гораздо меньшем масштабе. У разных процессоров разное количество металлических связующих слоёв над транзисторами. Транзисторы уменьшаются, и для маршрутизации всех сигналов требуется всё больше слоёв металлизации. Сообщается, что в будущем 5-нанометровом техпроцессе TMSC будет использоваться 15 слоёв. Представьте 15-уровневую вертикальную автомобильную развязку — это даст вам представление о том, насколько сложна маршрутизация внутри чипа.

На показанном ниже изображении с микроскопа показана решётка, образованная семью слоями металлизации. Каждый слой плоский и при поднимании вверх слои становятся больше, чтобы способствовать снижению сопротивления. Между слоями есть крошечные металлические цилиндрики, называемые перемычками, которые используются для перехода на более высокий уровень. Обычно каждый слой меняет направление относительно слоя под ним, чтобы снизить нежелательные ёмкостные сопротивления. Нечётные слои металлизации могут использоваться для создания горизонтальных соединений, а чётные — для вертикальных соединений.

Можно понять, что управление всеми этими сигналами и слоями металлизации очень быстро становится невероятно сложным. Чтобы способствовать решению этой проблемы, применяются компьютерные программы, автоматически располагающие и соединяющие транзисторы. В зависимости от сложности конструкции программы даже могут транслировать функции высокоуровневого кода на C вниз до физических расположений каждого проводника и транзистора. Обычно разработчики чипов позволяют компьютерам генерировать основную часть конструкции автоматически, а затем изучают и вручную оптимизируют отдельные критически важные части.

Когда компании хотят создать новый чип, они начинают процесс проектирования со стандартных ячеек, предоставляемых компанией-изготовителем чипов. Например, Intel или TSMC предоставляют проектировщикам такие базовые части, как логические элементы или ячейки памяти. Проектировщики могут комбинировать эти стандартные ячейки в любой чип, который хотят произвести. Затем они отправляют на фабрику — место, где необработанный кремний превращается в рабочие чипы — электрические схемы транзисторов чипа и слоёв металлизации. Эти схемы превращаются в маски, которые используются в описанном выше процессе изготовления. Далее мы посмотрим, как может выглядеть процесс проектирования чрезвычайно простого чипа.

Первой мы видим схему инвертора, который является стандартной ячейкой. Заштрихованный зелёный прямоугольник наверху — это pMOS-транзистор, а прозрачный зелёный прямоугольник внизу — nMOS-транзистор. Вертикальный красный проводник — это поликремниевый затвор, синие области — это металлизация 1, а сиреневые области — металлизация 2. Вход A входит слева, а выход Y выходит справа. Соединения питания и заземления выполнены сверху и снизу на металлизации 2.

Скомбинировав несколько логических элементов, мы получили простой 1-битный арифметический модуль. Эта конструкция может складывать, вычитать и выполнять логические операции с двумя 1-битными входами. Идущие вверх заштрихованные синие проводники это слои металлизации 3. Немного более крупные квадраты на концах проводников — это перемычки, соединяющие два слоя.

Наконец, объединив вместе множество ячеек и примерно 2 000 транзисторов, мы получили простой 4-битный процессор с 8 байтами ОЗУ на четырёх слоях металлизации. Увидев, насколько он сложен, можно только представлять, как трудно проектировать 64-битный процессор с мегабайтами кэша, несколькими ядрами и 20 с лишним этапами конвейера. Учитывая то, что у современных высокопроизводительных ЦП есть до 5-10 миллиардов транзисторов и дюжина слоёв металлизации, не будет преувеличением сказать, что они буквально в миллионы раз сложнее нашего примера.

Это даёт нам понять, почему новый процессор является таким дорогостоящим куском технологий и почему AMD и Intel так долго выпускают новые продукты. Для того, чтобы новый чип прошёл путь от чертёжной доски до рынка, обычно требуется 3-5 лет. Это значит, что самые быстрые современные чипы созданы на технологиях, которым уже несколько лет, и что мы ещё много лет не увидим чипов с современным уровнем технологий изготовления.

В четвёртой и последней статье серии мы вернёмся к физической сфере и рассмотрим современные тенденции в отрасли. Что разрабатывают исследователи, чтобы сделать следующее поколении компьютеров ещё быстрее?

  • процессоры
  • amd
  • intel
  • tmsc
  • производство чипов
  • кремниевые пластины
  • фотолитография
  • изготовление процессоров
  • Производство и разработка электроники
  • Компьютерное железо
  • Научно-популярное
  • Процессоры
  • Электроника для начинающих

Оборудование для производства чипов
(мировой рынок)

12 апреля 2023 года отраслевая ассоциация SEMI (Semiconductor Equipment and Materials International) обнародовала результаты исследования мирового рынка оборудования для производства полупроводниковой продукции.

Сообщается, что по итогам 2022 года затраты в обозначенном сегменте достигли $107,64 млрд, что является абсолютным рекордом. Для сравнения: годом ранее расходы равнялись $102,64 млрд. Таким образом, рост оказался на уровне 5%.

Третий год подряд Китай остаётся лидером по закупкам оборудования для изготовления полупроводниковых изделий. Затраты на рынке КНР в 2022 году составили $28,27 млрд против $29,62 млрд в 2021-м. Таким образом, зафиксирован спад в размере 5%, что отчасти объясняется ограничениями в связи с пандемией COVID-19. На втором месте в рейтинге закупщиков оборудования находится Тайвань с результатом в $26,82 млрд. Это приблизительно на 8% больше по сравнению с 2021 годом, когда расходы равнялись $24,94 млрд. Замыкает тройку Корея с показателем около $21,51 млрд, что на 14% меньше по сравнению с результатом за 2021 год, когда затраты оценивались в $24,98 млрд.

В список SEMI также входит Северная Америка с затратами приблизительно $10,48 млрд по итогам 2022 года. Это на 38% больше по сравнению с предыдущим годом, когда расходы составляли $7,61 млрд. Далее идёт Япония — $8,35 млрд против $7,8 млрд в 2021 году (плюс 7%). В Европе рост составил 93% — с $3,25 млрд до $6,28 млрд. Все другие регионы вмести взятые в 2022 году потратили на оборудование для производства полупроводниковой продукции примерно $5,95 млрд. Это на 34% больше по сравнению с 2021 годом, когда затраты оценивались в $4,44 млрд.

Рост глобального рынка на 8%

Мировой рынок оборудования для производства полупроводниковых чипов в 2022 году достиг объёма приблизительно $98 млрд, увеличившись на 8% по сравнению с предыдущим годом. Об этом говорится в отчёте отраслевой ассоциации SEMI, представленном 21 марта 2023-го.

Темпы расширения отрасли резко снизились по сравнению с 2021 годом, когда было зафиксировано увеличение поставок на 43% в денежном исчислении. В 2020-м, как отмечается, рост также был выше — приблизительно 15%. Наблюдающаяся тенденция связана с ослаблением спроса на полупроводниковую продукцию в условиях сложившейся макроэкономической обстановки. Кроме того, фиксируется накопление запасов потребительской техники, мобильных устройств и другой электроники.

Темпы расширения отрасли резко снизились по сравнению с 2021 годом

Крупнейшими регионами в плане затрат на производственное оборудование по выпуску микрочипов названы Тайвань, Южная Корея, Китай и Северная Америка. При этом развитие рынка в КНР затруднено в связи с жёсткими американскими санкциями, запрещающими использование зарубежных технологий.

Несмотря на кризис, как отмечает SEMI, существуют несколько стимулирующих факторов, способствующих увеличению спроса на полупроводниковые изделия в глобальном масштабе. Это растущая потребность в чипах для автомобильных систем, платформ высокопроизводительных вычислений (HPC) и других передовых решений.

erid:LjN8KUeA1

ИНН: 5024096727

Компания: ООО «ДЕПО ЭЛЕКТРОНИКС»

Как отмечает Ассоциация полупроводниковой промышленности (SIA), если отвлечься от краткосрочных колебаний спроса и рассмотреть долгосрочную тенденцию, полупроводниковая промышленность в целом демонстрирует устойчивый рост в течение более чем 20 лет. В 2022-м общие затраты достигли $573,5 млрд. Для сравнения: в 2021 году объём отрасли оценивался в $139 млрд. За тот же период продажи полупроводниковых изделий увеличились на 290%, что отражает возросший спрос на чипы во всех сегментах мировой экономики. [2]

2021: Рынок оборудования для производства чипов за год взлетел на 44%

В 2021 году производители чипов потратили на оборудование для своих заводов в общей сложности $102,6 млрд, что на 44% больше, чем годом ранее, когда продажи такой техники измерялись $71,2 млрд. Об этом говорится в исследовании, подготовленном отраслевой организацией Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI), объединяющей производителей полупроводниковой продукции, соответствующего оборудования и материалов.

Президент и генеральный директор SEMI Аджит Маноча (Ajit Manocha), комментируя зарегистрированные цифры, отметил, что 44-процентный рост рынка оборудования для производства микросхем указывает на стремление глобальной полупроводниковой промышленности наращивать мощности. Причем эта активность связана не только с проблемами при поставках чипов, но и сохраняющимся развитием широкого спектра высокотехнологичных решений, которые сделают цифровой мир умнее и наделят его бесчисленными социальными преимуществами, добавил эксперт.

В 2021 году производители чипов потратили на оборудование для своих заводов в общей сложности $102,6 млрд, что на 44% больше, чем годом ранее.

Согласно исследованию SEMI, глобальные продажи оборудования для обработки полупроводниковых пластин в 2021 году увеличились на 44%. Сегменты аппаратуры для сборки и упаковки чипов показали рост на 87%, а продажи оборудования для тестирования полупроводников повысились на 30%.

Китай в 2021 году сохранил лидерство по расходам на оборудование для производства чипов. Объем этого рынка в Поднебесной взлетел на 58% (самый высокий подъем среди всех регионов) и достиг $29,62 млрд по итогам 2021-го. На 55% увеличились расходы на полупроводниковое оборудование в Южной Корее — до $24,98 млрд.

В тройку стран по потреблению техники для изготовления чипов в 2021 году вошел Тайвань — там расходы на соответствующие изделия поднялись на 45% и составили $24,94 млрд. Таким образом, Южная Корея и Тайвань продемонстрировали почти одинаковые результаты по закупкам оборудования для производства чипов.

На четвертой позиции в этой рейтинге расположилась Япония, на которую в 2021 году пришлось $7,8 млрд продаж оборудования, используемого в производстве чипов. Японский рынок вырос на 3%, что стало наименьшей динамикой среди всех регионов, рассмотренных SEMI. В Северной Америке затраты на оборудование в 2021 году выросли на 17% относительно 2020-го — до $7,61 млрд. В Европе имел место 23-процентный рост при объеме реализации аппаратуры в $3,25 млрд по итогам 2021 года. В остальных странах вместе взятых продажи оборудования для производства чипов в 2021-м выросли на 79% и достигли $4,44 млрд.

Производство чипов

На фоне глобальной нехватки чипов их производители активно расширяют мощности, однако реализации этих планов может помешать дефицит ключевого оборудования для изготовления полупроводниковых изделий. Проблема, вероятно, сохранится еще пару лет, сообщил в марте 2022 года Питер Веннинк (Peter Wennink), генеральный директор компании ASML, являющейся одним из лидеров по выпуску литографической аппараты для производства микросхем. [3]

2020: Рост объема мирового рынка оборудования на 16,4%, до $64,9 млрд

Объем мирового рынка оборудования, используемого для производства чипов, по итогам 2020 года достиг $64,9 млрд, увеличившись на 16,4% в сравнении с 2019-м. Такие данные в августе 2021 года обнародовали в исследовательской компании Gartner.

По оценкам аналитиков, на лидирующую пятерку в 2020 году пришлось 71,6% рассматриваемого рынка. Первое место поделили между собой две компании — американская Applied Materials и голландская ASML, в активе которых 18,6% и 18,1% продаж оборудования для производства полупроводниковой продукции соответственно. Доля Applied Materials за год не изменилась, а у ASML она увеличилась на 0,1 процентного пункта.

Топ-3 вендоров замкнула американская Lam Research, занявшая 15% рынка по итогам 2020 года, что на 1,2 процентного пункта больше, чем годом ранее. Следом расположились Tokyo Electron (13,4%) и KLA (6,5%).

Объем мирового рынка оборудования, используемого для производства чипов, по итогам 2020 года достиг $64,9 млрд

По данным отраслевой организации Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI), объединяющей производителей полупроводниковой продукции, соответствующего оборудования и материалов, в 2020 году по всему миру было продано оборудование для изготовления микросхем на сумму $71,2 млрд, что на 19% превосходит показатель годичной давности в $59,8 млрд.

Впервые за все время наблюдения SEMI за рынком Китай стал крупнейшим регионом сбыта оборудования для производства чипов. В Поднебесной расходы на такую аппаратуру в 2020 году увеличились на 39%, $18,72 млрд. Продажи на Тайване, втором по величине рынке, остались на прежнем уровне — около $17,15 млрд — после сильного роста в 2019 году.

В Южной Корее зарегистрирован рост на 61% до $16,08 млрд, что позволило сохранить третье место. Годовые расходы также увеличились на 21% в Японии и на 16% в Европе, оба региона восстанавливаются после спада в 2019 году. Продажи полупроводникового оборудования в Северной Америке снизились на 20% в 2020 году после трех лет последовательного роста.

Страны-лидеры по расходам на оборудование для производства микросхем по итогам 2020 года

По прогнозам SEMI, Китай, Тайвань и Южная Корея будут лидировать по расходам на оборудование для производства микросхем. Ожидается, что крупные инвестиции в контрактное производство и разработку памяти помогут Китаю впервые достичь первого места на рынке. Однако в 2021 и 2022 годах Южная Корея, скорее всего, станет лидером за счет растущих инвестиций в логические микросхемы и восстановления сегмента памяти.

Расходы на полупроводниковое оборудование на Тайване останутся стабильными благодаря инвестициям в передовое контрактное производство чипов. В большинстве других регионов также будет наблюдаться рост в ближайшие годы, говорится в исследовании.

Мировые продажи оборудования для обработки полупроводниковых пластин в 2020 году выросли на 19%, в то время как расходы на устройства для обработки пластин (front end). выросли на 4%. Сегмент сборки и упаковки продемонстрировали значительный рост во всех регионах, что привело к увеличению рынка на 34% в 2020 году, в то время как общие продажи тестового оборудования увеличились на 20%.

Исследователи также отмечают на всплеск спроса на технику, используемую в производстве оперативной и флеш-памяти, чему во многом способствуют сильные продажи на такие изделия. Ожидается, что по итогам 2021 года глобальные затраты на устройства, предназначенные для серийного изготовления DRAM-памяти, вырастут на 46% относительно 2020-го и достигнут $14 млрд. В сегменте памяти NAND flash ожидается 13-процентный рост по итогам 2021 года (до $17,4 млрд) и 9-процентный подъем в 2022 году (до $18,9 млрд). [4]

2019

Падение рынка на 7% до $59,8 млрд

Объём мирового рынка оборудования, предназначенного для производства полупроводниковых компонентов, в 2019 году составил $59,8 млрд, снизившись на 7% относительно 2018-го, когда продажи были рекордными и измерялись $64,5 млрд. Об этом свидетельствуют данные ассоциации SEMI, представляющей интересы разработчиков и производителей чипов.

Наибольшие расходы на оборудование для изготовления чипов в 2019 году пришлись на Тайвань — $17,12 млрд, что на 68% превосходит показатель годичной давности. На втором месте расположился Китай с заказами в размере $13,45 млрд и 3-процентным ростом.

Рынок оборудования для производства чипов в 2019 году просел на 7%

Южная Корея, которая в 2019 году занимала первое место по затратам на полупроводниковое заводское оборудование, год спустя скатилась на третью позицию из-за сокращение инвестиций на 44%, до $9,97 млрд.

Производители чипов в Северной Америке по итогам 2019 года закупили оборудование на сумму $8,15 млрд, что на 40% больше, чем годом ранее. В Японии расходы на такую технику снизились на 34% и составили $6,27 млрд. В Европе спад оказался самым сильным среди всех регионов (-46%, до $2,27 млрд).

В остальных странах вместе взятых закупки оборудования для производства чипов в 2019 году сократились на 38% в сравнении с 2018-м — до $2,52 млрд.

Согласно оценкам аналитиков SEMI, мировые продажи оборудования для обработки полупроводниковых пластин в 2019 году упали на 6%, в то время как продажи в других сегментах техники для предварительной обработки выросли на 9%.

Оборудование для сборки и упаковки чипов, а также устройства для проведения тестирования продукции в 2019 году показали снижение продаж на 27% и 11% соответственно. В Китае все сегменты рассматриваемого рынка продемонстрировали подъем, кроме решений для сборки и упаковки микросхем.

Смена лидера впервые за 30 лет

В конце ноября 2019 года аналитическая компания The Information Network опубликовала результаты исследования под названием The Global Semiconductor Equipment: Markets, Market Shares, Market Forecasts, в котором эксперты отразили ситуацию на рынке оборудования для производства полупроводниковых решений.

По предварительным оценкам аналитиков, в 2019 году на рынке впервые почти за 30 лет сменится лидер: им станет компания ASML, которая опередит Applied Materials. Доли производителей составят 21,6% против 19,4% соответственно.

The Information Network опубликовала результаты исследования под названием The Global Semiconductor Equipment: Markets, Market Shares, Market Forecasts, в котором эксперты отразили ситуацию на рынке оборудования для производства полупроводниковых решений

В 2018 году на Applied Materials приходилось 19,2% рынка оборудования для производства чипов, тогда как в активе ASML было около 18%.

По словам генерального директора The Information Network Роберта Кастелано (Robert Castellano), доля Applied Materials на рынке падает в течение трех лет. В 2015 году она измерялась 23%.

В 2020 году ASML, скорее всего, упрочит лидерство на рынке и займёт его на 22,8%, а Applied Materials останется на втором месте с 19,3-процентным показателем, ожидает Кастелано.

Аналитик приводит этот прогноз, основываясь на ожидаемых капитальных расходах полупроводниковых производителей и на том, что в 2020 году продажи оборудования для производства чипов поднимутся лишь на 5%.

Помимо Applied Materials и ASML, крупными игроками на рынке оборудования для полупроводникового производства являются компании Tokyo Electron и Lam Research, на которые в 2019 году придется 14,8% и 14,2% продаж этого оборудования соответственно. По сравнению с 2018 годом доли этих компаний сократятся. Следом за ними расположится компания KLA, которая, напротив, должна увеличить рыночную долю — с 6,2% до 6,9%, говорится в исследовании.

По прогнозам экспертов, объем мирового рынка чипов в 2019 году упадет на 13%. [5]

Примечания

  1. ↑Global Semiconductor Equipment Billings Reach Industry Record $107.6 Billion In 2022, SEMI Reports
  2. ↑Global Fab Equipment Spending On Track For 2024 Recovery After 2023 Slowdown, Semi Reports
  3. ↑Global semiconductor equipment sales surge 44% in 2021, says SEMI
  4. ↑2020 GLOBAL SEMICONDUCTOR EQUIPMENT SALES SURGE 19% TO INDUSTRY RECORD $71.2 BILLION, SEMI REPORTS
  5. ↑ASML to Take Semiconductor Equipment Lead from Applied Materials in 2019

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *